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J-GLOBAL ID：200903094159070301

半導体基板の製造方法、半導体基板及び半導体装置の製造方法

Inventor： 江崎 朗
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (3)： 大胡 典夫 ,  竹花 喜久男 ,  宇治 弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003357488
Publication number (International publication number)：2005123425
Application date： Oct. 17, 2003
Publication date： May. 12, 2005
Summary：

【課題】 加工精度が高く、量産に適した半導体基板の製造方法、半導体基板及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1の素子形成領域である素子部1bを、ブラスト及び/又はエッチングにより薄化加工する第1の工程と、薄化された前記素子部1bを、さらにポリッシュにより薄化加工する第2の工程を備える。【選択図】 図6

Claim (excerpt)：

半導体基板の素子形成領域である素子部を、ブラスト及び/又はエッチングにより薄化加工する第1の工程と、 薄化された前記素子部を、さらにポリッシュにより薄化加工する第2の工程を備えることを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (4)：

H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/329

FI (5)：

H01L21/304 601S ,  H01L21/304 621B ,  B24B37/04 G ,  H01L29/91 A ,  H01L21/302 104C

F-Term (8)：

3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058DA17 ,  5F004AA11 ,  5F004DA01 ,  5F004DA18 ,  5F004DB01 ,  5F004FA08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-208065   Applicant：株式会社日立製作所