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J-GLOBAL ID：200903094184003589

半導体薄膜、半導体薄膜の形成方法、半導体装置およびディスプレイ装置。

Inventor：
金子 俊博

About 金子 俊博

, 
水木 敏雄

About 水木 敏雄


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (3)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002340099
Publication number (International publication number)：2004179195
Application date： Nov. 22, 2002
Publication date： Jun. 24, 2004
Summary：
【課題】結晶成長を行う基板表面の垂直方向に特定の結晶方位の配向性を有し、結晶性を改善する。【解決手段】絶縁性基板であるガラス基板11上に非晶質シリコン膜12を形成し、その非晶質シリコン膜12上に、結晶化を促進する触媒物質であるニッケル(Ni)を添加し、触媒物質であるニッケル(Ni)が添加された非晶質シリコン膜12に第1のエネルギーである加熱処理を行うことによって、非晶質シリコン膜12を結晶性半導体薄膜に結晶成長させ、さらに、結晶性半導体薄膜に、第2のエネルギーであるXeClエキシマレーザーのレーザー光を照射して、結晶性半導体薄膜の結晶性をさらに向上させた多結晶シリコン膜を形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
絶縁性基板または絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成する工程と、 該非晶質半導体膜上に、結晶化を促進する触媒物質を添加する工程と、 該触媒物質が添加された該非晶質半導体膜に第1のエネルギーを加えることによって、該非晶質半導体膜を結晶性半導体薄膜に結晶成長させる工程と、 該結晶性半導体薄膜に、第2のエネルギーを加えることによって、該結晶性半導体薄膜の結晶性をさらに向上させた多結晶半導体膜を形成する工程と、 を包含する半導体薄膜の形成方法。
IPC (4)：
H01L21/20 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (3)：
H01L21/20 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 627G
F-Term (76)：
2H092JA25 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB01 ,  2H092JB13 ,  2H092JB51 ,  2H092JB56 ,  2H092JB57 ,  2H092JB61 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB23 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092KB26 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA18 ,  2H092NA01 ,  2H092NA22 ,  2H092NA29 ,  2H092PA02 ,  2H092PA04 ,  2H092PA08 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE05 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP22 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP36 ,  5F110QQ11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 半導体装置およびその作製方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-207632   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 半導体装置およびその作製方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-123092   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 半導体装置の作製方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-235919   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
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