半導体装置の作製方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994235919
Publication number (International publication number)：1996078329
Application date： Sep. 05, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】結晶化を助長する触媒元素を用いて、550°C程度、4時間程度の加熱処理で結晶性珪素を得る方法において、触媒元素の導入量を精密に制御し、しかも選択的に導入を行う。【構成】ガラス基板11上に形成された非晶質珪素膜12上に酸化珪素等でなるマスク21を形成し、さらに極薄の酸化膜20を形成し、その後にニッケル等の触媒元素を10〜200ppm(要調整)添加した酢酸塩溶液等の水溶液14を滴下する。この状態で所定の時間保持し、スピナー15を用いてスピンドライを行なう。そして、550°C、4時間の加熱処理を行なうことにより、結晶性珪素膜を得る。上記構成において、溶液中の触媒元素の濃度を調整することで、完成した結晶性珪素膜中における触媒元素の濃度を精密に制御することができる。また、ニッケルが導入された領域からニッケルが導入されなかった領域に向かって結晶成長を行わすことができる。

Claim (excerpt)：

非晶質珪素膜の表面に選択的にマスクを形成する工程と、前記非晶質珪素膜の表面に珪素の結晶化を助長する金属元素を接して保持させる工程と、加熱処理および/または光照射を行うことにより前記非晶質珪素膜を結晶化させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-048535 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体および半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-039499 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-229120 Applicant：沖電気工業株式会社

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