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J-GLOBAL ID：200903094186325745

光半導体素子、該光半導体素子を用いた波長可変光源および光断層画像取得装置

Inventor： 大郷 毅
Applicant, Patent owner： 富士フイルム株式会社
Agent (2)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007212787
Publication number (International publication number)：2009049122
Application date： Aug. 17, 2007
Publication date： Mar. 05, 2009
Summary：

【課題】偏波依存性が抑制され、出力が時間的に安定した光を射出する光半導体素子を実現する。【解決手段】光半導体素子10は、発光中心波長が0.9μm以上1.2μm以下の光を射出可能な光半導体素子であり、InxGa1-xAs基板(X≠1)11と、引張り歪量子井戸活性層15とを備えている。光半導体素子は一般的にTEモードに対する利得を有している。光半導体素子10は、引張り歪を導入することでTMモードでの利得を大きくすることができ、このためTEモードとTMモードに対する光利得のバランスがとれる。【選択図】図2A

Claim (excerpt)：

発光中心波長が0.9μm以上1.2μm以下の光を射出可能な光半導体素子であって、InxGa1-xAs基板(X≠1)と、 該InxGa1-xAs基板(X≠1)の上に積層された引張り歪量子井戸活性層を備えることを特徴とする光半導体素子。

IPC (4)：

H01S 5/343 ,  H01S 5/14 ,  G01B 11/24 ,  G01N 21/17

FI (4)：

H01S5/343 ,  H01S5/14 ,  G01B11/24 D ,  G01N21/17 625

F-Term (58)：

2F065AA52 ,  2F065DD04 ,  2F065FF52 ,  2F065GG06 ,  2F065GG07 ,  2F065GG25 ,  2F065HH04 ,  2F065HH13 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ26 ,  2F065LL02 ,  2F065LL10 ,  2F065LL12 ,  2F065LL15 ,  2F065LL22 ,  2F065LL42 ,  2F065LL62 ,  2F065MM15 ,  2F065MM25 ,  2F065MM28 ,  2F065NN06 ,  2F065PP05 ,  2F065QQ03 ,  2F065UU01 ,  2F065UU07 ,  2G059AA05 ,  2G059EE02 ,  2G059EE09 ,  2G059EE12 ,  2G059FF02 ,  2G059GG01 ,  2G059GG09 ,  2G059JJ03 ,  2G059JJ05 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ15 ,  2G059JJ17 ,  2G059KK04 ,  2G059MM01 ,  2G059MM10 ,  2G059PP04 ,  5F173AA06 ,  5F173AB33 ,  5F173AB44 ,  5F173AB45 ,  5F173AB46 ,  5F173AB49 ,  5F173AB79 ,  5F173AF04 ,  5F173AF15 ,  5F173AG05 ,  5F173AG12 ,  5F173AH02 ,  5F173AL04 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP64 ,  5F173AR45

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• スペクトル干渉に基づく光学・トモグラフィ-および光学表面プロファイル測定装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-082817   Applicant：カールツァイスイエナゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング