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J-GLOBAL ID：200903094191617371

半導体基板上に極小スケールのCu相互接続金属を形成する方法及び装置

Inventor：
陳 來助

About 陳 來助


Applicant, Patent owner：
財団法人工業技術研究院

About 財団法人工業技術研究院


Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997108044
Publication number (International publication number)：1998163208
Application date： Mar. 21, 1997
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：
【要約】【課題】 ウエット工程からドライ工程への変更回数を少なくする。【解決手段】 超クリーン環境で基板10の上面に誘電体層を設け、マスクを介して該誘電体層に窪み12a、12bを形成し、その上にバリア層14を形成する。次いで厳格性が緩いクリーン環境において、Cu層16を形成し、窪みの部分を残してCu層を機械的研磨してバリア層の表面を露出させ、露出されたバリア層を選択的に除去し、残留するCuの表面上にバリア層18を選択的に形成して、基板表面を平坦化する。さらに超クリーン環境において誘電体層を形成し、上記のステップを繰り返し、上位層にCu層を形成する。窪み12aには誘電体層を貫通するバイア・ホールが形成され、多層相互間の電気的接続がなされる。
Claim (excerpt)：
半導体デバイス上にCu相互接続金属を形成するための自己完結型の製造装置において、密閉チャンバと、処理対象の半導体ウエハを前記チャンバに導入する入力ステーションと、前記チャンバ内で処理した半導体ウエハを抽出する出力ステーションと、前記チャンバ内のCuメッキ装置ステーションと、バリア金属無電解メッキ装置ステーションと、主研磨装置ステーションと、補助研磨装置ステーションと、前記チャンバ内にあり、処理対象の半導体ウエハを、前記入力ステーションから前記Cuメッキステーション、前記主研磨ステーション、前記補助研磨ステーション、前記バリア金属エッチング・ステーションを介して前記出力ステーションまで移動させ、関連する半導体製造装置において高クリーン・ルーム環境を必要とする処理を更に行うために、前記チャンバから抽出する自動インデクサ(指標)装置とからなることを特徴とする自己完結型の製造装置。
IPC (5)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/68
FI (5)：
H01L 21/88 A ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/304 321 E ,  H01L 21/68 A ,  H01L 21/302 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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