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J-GLOBAL ID：200903094194706014

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 牧田 直樹 ,  田仲 広久 ,  山元 良高
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995294607
Publication number (International publication number)：1997139502
Application date： Nov. 13, 1995
Publication date： May. 27, 1997
Summary：

【要約】【課題】 軽量で安価なプラスチック基板上に高品質な結晶性ケイ素膜を形成し、高性能な半導体装置を実現する。【解決手段】 プラスチック基板101上に結晶性ケイ素膜103iからなる活性領域が形成されている。この結晶性ケイ素膜103iは、水素濃度が5×1020atoms/cm3以下の非晶質ケイ素膜をエネルギービーム照射により結晶成長させたものからなる。また、結晶性ケイ素膜103iは、厚さ300nm以上の絶縁性ケイ素化合物膜102を間に介してプラスチック基板101上に形成されている。

Claim (excerpt)：

高分子材料からなる基板上に、結晶性を有するケイ素膜からなる活性領域が形成された半導体装置であって、該活性領域は、エネルギービーム照射により非晶質ケイ素膜を結晶成長させたものからなり、該非晶質ケイ素膜中の水素濃度が5×1020atoms/cm3以下である半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/336

FI (6)：

H01L 29/78 626 C ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 618 F ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平4-226040
  
• 特開平4-332134
  
• 多結晶シリコン層の形成方法およびそれを用いた多結晶シリコン薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-269562   Applicant：エイ・ジー・テクノロジー株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-223679   Applicant：エイ・ジー・テクノロジー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-179502   Applicant：株式会社東芝