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J-GLOBAL ID：200903094195792178

III族窒化物エピタキシャル基板、III族窒化物素子用エピタキシャル基板及びIII族窒化物素子

Inventor： 柴田 智彦 ,  角谷 茂明 ,  浅井 圭一郎 ,  田中 光浩
Applicant, Patent owner： 日本碍子株式会社
Agent (1)： 杉村 興作
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002268349
Publication number (International publication number)：2004142953
Application date： Sep. 13, 2002
Publication date： May. 20, 2004
Summary：

【課題】低転位で結晶性に優れたAl含有窒化物膜を形成することのできる、サファイア単結晶基材及びAl含有III族窒化物下地膜を含む新規なエピタキシャル基板を提供する。【解決手段】エピタキシャル基板を構成するサファイア単結晶基材の主面の結晶方位を<0001>方向(C軸方向)より、好ましくは<1-100>方向(m軸方向)に0.02〜0.3度傾斜するとともに、前記主面側の表層部分において表面窒化層を形成する。そして、前記サファイア単結晶基材の前記主面上に前記表面窒化層を介して、少なくともAlを含み、(10-12)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅が2000秒以下であり、5μm範囲における表面粗さ(Ra)が3.5Å以下であるIII族窒化物下地膜を形成する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

主面の結晶方位が<0001>方向より0.02〜0.3度傾斜するとともに、前記主面側の表層部分において表面窒化層を有するサファイア単結晶基材と、このサファイア単結晶基板の前記主面上に前記表面窒化層を介して形成された少なくともAlを含み、(10-12)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅が2000秒以下であり、5μm範囲における表面粗さ(Ra)が3.5Å以下であるIII族窒化物下地膜とを具えることを特徴とする、III族窒化物エピタキシャル基板。

IPC (3)：

C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

FI (3)：

C30B29/38 C ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C

F-Term (22)：

4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077AB08 ,  4G077BE13 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077TK06 ,  5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AA20 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12