成膜方法及び成膜装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：光石俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001093502
Publication number (International publication number)：2002289618
Application date： Mar. 28, 2001
Publication date： Oct. 04, 2002
Summary：

【要約】【課題】窒化ホウ素膜を成膜できるようにする。【解決手段】成膜室2内にプラズマ10を生成し、成膜室2内で窒素ガス11を主に励起した後に水素ガス希釈のジボランガス13と混合させて反応させ、基板4に窒化ホウ素膜15を成膜し、成膜初期に窒素ガス11を過剰に供給して界面へのアモルファス相発生を抑制し、基板界面での耐吸湿性を向上させて低誘電率性を維持した窒化ホウ素膜15を成膜する。

Claim (excerpt)：

成膜室内にプラズマを生成し、成膜室内で窒素ガスを主に励起した後にホウ素系ガスと混合させて反応させ、基板に窒化ホウ素膜を成膜するに際し、成膜初期にアモルファス相発生抑制化ガスを供給して界面へのアモルファス相発生を抑制することを特徴とする成膜方法。

IPC (4)：

H01L 21/318 , C23C 16/38 , H01L 21/31 , H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/318 B , C23C 16/38 , H01L 21/31 C , H01L 21/90 K

F-Term (42)：

4K030AA01 , 4K030AA07 , 4K030AA09 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA49 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA04 , 4K030JA05 , 4K030JA06 , 4K030LA15 , 5F033RR05 , 5F033SS01 , 5F033SS15 , 5F033XX18 , 5F033XX24 , 5F045AA08 , 5F045AB31 , 5F045AC19 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AF03 , 5F045BB16 , 5F045CB05 , 5F045DC63 , 5F045DP04 , 5F045EB02 , 5F045EC09 , 5F045EF02 , 5F045EF08 , 5F045EH02 , 5F045EH20 , 5F058BA07 , 5F058BA20 , 5F058BC07 , 5F058BC20 , 5F058BF07 , 5F058BF22 , 5F058BF25 , 5F058BF26

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平3-079769
特開平3-079769
特開昭63-083273

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