Pat
J-GLOBAL ID：200903094206633697
磁気トンネル接合素子およびその製造方法ならびに磁気トンネル接合型ヘッドおよびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三反崎 泰司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001352008
Publication number (International publication number)：2002232040
Application date： Nov. 16, 2001
Publication date： Aug. 16, 2002
Summary：
【要約】【課題】 室温下においても高TMR比かつ、低抵抗が得られると共に、電気特性の対称性に優れるMTJ素子およびMTJヘッドならびにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 MTJ素子70は、第1の強磁性層24と、トンネルバリア層30と、第2の強磁性層42とが順に積層される工程を含む。トンネルバリア層30は、第1の強磁性層24上に金属層もしくは非金属層を形成し、酸化処理することにより第1の薄膜32を形成する工程と、第1の薄膜32上に第2の薄膜34を形成する工程とによって形成する。
Claim (excerpt)：
印加された磁場を検出するための磁気トンネル接合素子であって、第1の強磁性層と、第2の強磁性層と、前記第1および第2の強磁性層に挟まれ、これらの2つの層と接するトンネルバリア層とを備え、前記トンネルバリア層は酸化処理が施された第1のバリア層と、第2のバリア層とを含むことを特徴とする磁気トンネル接合素子。
IPC (6)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/32
, H01F 41/32
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/32
, H01F 41/32
, H01L 43/12
, G01R 33/06 R
2G017AD55
, 2G017AD62
, 2G017AD63
, 2G017AD65
, 5D034BA02
, 5D034CA00
, 5D034CA04
, 5D034DA07
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049BA12
, 5E049CB02
, 5E049DB12
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
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