磁気トンネル接合素子及びその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤巻正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998202922
Publication number (International publication number)：2000036628
Application date： Jul. 17, 1998
Publication date： Feb. 02, 2000
Summary：

【要約】【課題】金属膜の残存及び下磁性層の侵食が生じることなく容易にバリア膜を形成することができ、これにより、磁気トンネル抵抗変化率を高めることができる磁気トンネル接合素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板1の上にFe70Co30からなる下磁性層2を成膜する。次に、第1のAl膜を10Åの膜厚で成膜した後、50Torrの酸素雰囲気下において、RFプラズマにより第1のAl膜をプラズマ酸化する。これにより、第1のAl-Oバリア膜3が得られる。その後、第1のAl-Oバリア膜3の上に第2のAl膜を10Åの膜厚で成膜した後、50Torrの酸素雰囲気下において、RFプラズマにより第2のAl膜をプラズマ酸化する。これにより、第2のAl-Oバリア膜4が得られる。その後、第2のAl-Oバリア膜4の上にFe50Co50からなる下磁性層5を成膜する。

Claim (excerpt)：

Fe、Ni及びCoからなる群から選択された少なくとも1種の磁性金属を有する下磁性層及び上磁性層と、前記下磁性層と上磁性層との間に形成されたプラズマ酸化膜からなるバリア膜とを有し、前記プラズマ酸化膜は膜厚方向に2以上の酸素濃度のピークを有することを特徴とする磁気トンネル接合素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 , G11B 5/39 , G11C 11/15

FI (3)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , G11C 11/15

F-Term (4)：

5D034BA03 , 5D034BA15 , 5D034DA04 , 5D034DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

極薄絶縁膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-137044 Applicant：日本真空技術株式会社
磁気トンネル接合装置及び磁気抵抗読取りヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-277705 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
磁気抵抗複合素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-244448 Applicant：三菱マテリアル株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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