半導体基板表面欠陥の検査方法及びその自動検査装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：押田良久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996023248
Publication number (International publication number)：1997199560
Application date： Jan. 16, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】光学顕微鏡を用いた各種表面欠陥の密度計測において、表面欠陥密度の面内分布測定を可能となし、また、画像より面積と形状を測定して、表面欠陥の分別評価を可能とする半導体基板表面欠陥の検査方法と自動検査装置の提供。【解決手段】 2値化された画像より欠陥像の面積及び形状を抽出して欠陥数を計測する検査方法において、新たなフローパターンの認識アルゴリズムにより、フローパターン密度とスモールピット密度を個別に認識、測定し、基板面内全体にわたって表面欠陥の分別評価やその密度分布の測定を可能にしたことよって、従来不可能であったシリコンウェーハ表面欠陥の分別評価が可能となる。

Claim (excerpt)：

表面欠陥を顕在化させた被測定半導体基板を光学顕微鏡とCCDカメラを用いて撮影した測定用画像をコンピュータにて画像処理し、2値化された画像より欠陥像の面積及び形状を抽出して欠陥数を計測する半導体基板の表面欠陥を検査する方法において、次のステップにて表面欠陥の分別評価を行う半導体基板表面欠陥の検査方法。(1)表面欠陥を含む測定画像から背景画像を除去する。(2)画像強調処理を行う。(3)画像2値化処理する。(4)微小粒子画像をノイズとして除去して計測用画面とする。(5)計測用画面よりフローパターンを測定する。(6)計測用画面よりスモールピットを測定する。

IPC (4)：

H01L 21/66 , G01B 11/24 , G01N 21/88 , H04N 7/18

FI (5)：

H01L 21/66 N , G01B 11/24 F , G01N 21/88 E , G01N 21/88 J , H04N 7/18 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平2-177548
特開平3-076244
パターン欠陥検出方法とその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-017567 Applicant：株式会社日立製作所

Show all

Return to Previous Page