半導体集積回路装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三好秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997348076
Publication number (International publication number)：1999186497
Application date： Dec. 17, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】面積オーバーヘッドを最小に抑え且つノイズ電流の削減効率を向上させると共に、ノイズ源に対して極めて有効にノイズを除去すること。【解決手段】駆動力の高いインバーター回路素子を有するセル内に、拡散層とポリシリコン層により形成されるゲート容量から成る容量素子と、拡散層の細長い部分に形成される抵抗素子とから成るRCフィルターを作成し、このRCフィルターを介して、前記インバーター回路素子を電源線及びGND線に接続することにより、あまり大きな容量素子を用いることなく、前記インバーター回路素子のスイッチング時に発生するノイズを前記RCフィルターによりセル内で直ちに効率よく吸収する。

Claim (excerpt)：

回路素子を内部に形成した複数のセルを電源線に接続して作成される回路を有する半導体集積回路装置において、少なくとも1個以上の前記セルの内部に、抵抗素子と容量素子から成るRCフィルターを形成し、且つ、当該セル中の回路素子を前記RCフィルターを介して前記電源線に接続したことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/82

FI (2)：

H01L 27/04 H , H01L 21/82 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-060154 Applicant：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
特開平2-055420
セルベース設計半導体集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-251272 Applicant：日本電気株式会社

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