半導体記憶装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996164574
Publication number (International publication number)：1997161481
Application date： Jun. 25, 1996
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】動作するバンク数によらず安定した内部電圧をバンクに供給することが可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】バンクB1が活性化されるとき、HレベルのExt.BAがアドレスバッファ107に入力され、HレベルのInt.BAがVbbポンプ109に、LレベルのInt./BAがVbbポンプ111に出力される。よって、int./RASに同期したクロック信号CLK1によりVbbポンプ109が動作し、バンクB1に基板電圧Vbbが供給される。バンクB2が活性化されるとき、LレベルのExt.BAがアドレスバッファ107に入力され、LレベルのInt.BAがVbbポンプ109に、HレベルのInt./BAがVbbポンプ111に出力され、int./RASに同期したクロック信号CLK1によりVbbポンプ111が動作し、バンクB2に基板電圧Vbbが供給される。

Claim (excerpt)：

バンクアドレス信号に応答して活性化される複数のバンクに分割されたメモリセルアレイと、前記バンクに内部電圧を供給し、前記バンクアドレス信号に応答して内部電圧供給能力が変化する内部電圧供給手段と、を備えた半導体記憶装置。

IPC (5)：

G11C 11/407 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3)：

G11C 11/34 354 F , H01L 27/04 B , H01L 27/10 681 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平3-149867
特開平3-149867
半導体メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-261558 Applicant：日本電気株式会社

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