プラズマ表面処理装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995057250
Publication number (International publication number)：1996255782
Application date： Mar. 16, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】サブハーフミクロンの微細なパターンを良好な形状でもって形成する。【構成】プラズマエッチング装置のバイアス電圧として、通常の高周波バイアス電圧に補正パルスバイアス電圧を重畳させて、被エッチング基体8に照射される電子のエネルギーとイオンのポテンシャルエネルギーとを等しくして、被エッチング基体8をエッチングする。

Claim (excerpt)：

被処理基体の表面をプラズマ処理するところのプラズマ処理容器と、このプラズマ処理容器内に設けられ、前記被処理基体を載置するとともに、バイアス電圧が印加される電極と、前記バイアス電圧として高周波バイアス電圧および補正バイアス電圧を重畳して前記電極に印加するバイアス電圧印加手段と、前記プラズマ処理容器内に導入されたプラズマ源ガスを放電させてプラズマを生成するプラズマ生成手段とを具備してなり、前記プラズマの電位を基準とした場合に、少なくとも前記高周波バイアス電圧が正電圧の期間に、前記補正バイアス電圧として正電圧が重畳されることを特徴とするプラズマ表面処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/302 A , C23F 4/00 A , H05H 1/46 L , H01L 21/302 B , H01L 21/302 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開昭62-280378
表面処理方法および表面処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-293688 Applicant：株式会社日立製作所

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