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J-GLOBAL ID：200903094317681240

炭化珪素単結晶の製造方法

Inventor： 矢代 将斉 ,  亀井 一人 ,  楠 一彦 ,  八内 昭博
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 広瀬 章一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005270363
Publication number (International publication number)：2007076986
Application date： Sep. 16, 2005
Publication date： Mar. 29, 2007
Summary：

【課題】溶液成長法により、高い成長速度で良質なSiC(SiC)単結晶を製造する方法を提供する。 【解決手段】SiとTiとM(M:Co、MnまたはAlのいずれか一種)とCとを含み、SiとTiとMの原子比が、SixTiyMzなる式で表して、MがCoまたはMnの場合は、0.17≦y/x≦0.33、かつ0.90≦(y+z)/x≦1.80、MがAlの場合は0.17≦y/x≦0.33、かつ0.33≦(y+z)/x≦0.60、を満たす融液に、SiC成長用の種結晶基板を接触させ、少なくとも前記種結晶基板周辺における前記融液の過冷却により融液に溶解しているSiCを過飽和状態とすることによって、前記種結晶基板上にSiC単結晶を成長させる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

SiとTiとM(M:Coおよび/またはMn)とCとを含み、SiとTiとMの原子比が、SixTiyMzなる式で表して、0.17≦y/x≦0.33かつ0.90≦(y+z)/x≦1.80を満たす融液に、SiC成長用の種結晶基板を接触させ、少なくとも前記種結晶基板周辺における前記融液の過冷却により融液に溶解しているSiCを過飽和状態とすることによって、前記種結晶基板上にSiC単結晶を成長させることを特徴とする、SiC単結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/36 ,  C30B 9/10 ,  H01L 21/208

FI (3)：

C30B29/36 A ,  C30B9/10 ,  H01L21/208 D

F-Term (14)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077CC04 ,  4G077EC08 ,  4G077HA01 ,  4G077HA05 ,  5F053AA03 ,  5F053AA25 ,  5F053AA45 ,  5F053BB04 ,  5F053DD02 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 炭化珪素単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-072033   Applicant：株式会社日立製作所
• 炭化珪素単結晶とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-105567   Applicant：住友金属工業株式会社