炭化珪素単結晶とその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：広瀬章一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003105567
Publication number (International publication number)：2004002173
Application date： Apr. 09, 2003
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【課題】マイクロパイプ欠陥を含まない、格子欠陥の少ない良質な炭化珪素バルク単結晶を、2000°C以下の融液温度で、高い成長速度で製造する。【解決手段】SiとCとM(M:MnまたはTiの一方)とを含み、SiとMの原子比が、Si1-xMxなる式で表して、MがMnである場合は0.1≦x≦0.7、MがTiである場合は0.1≦x≦0.25である合金の融液から種結晶基板上に単結晶を成長させる。融液が未溶解Cを含有しないように、Cは融液を収容する黒鉛坩堝からの溶解により供給することが好ましい。結晶成長は、種結晶基板を融液に浸漬した後に融液を冷却するか、または融液に温度勾配を設けて、その低温部に種結晶基板を浸漬することにより実施することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

マイクロパイプ欠陥が存在しない炭化珪素バルク単結晶。

IPC (2)：

C30B29/62 , C30B19/00

FI (2)：

C30B29/62 K , C30B19/00 Z

F-Term (11)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077CG02 , 4G077EC08 , 4G077EH07 , 4G077GA02 , 4G077GA06 , 4G077HA12 , 4G077QA04 , 4G077QA26 , 4G077QA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

炭化珪素単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-217724 Applicant：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー
単結晶製造方法及びその単結晶製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-200610 Applicant：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
SiC単結晶およびその成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-251575 Applicant：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社

Show all

Cited by examiner (5)

炭化珪素単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-217724 Applicant：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー
単結晶製造方法及びその単結晶製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-200610 Applicant：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
SiC単結晶およびその成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-251575 Applicant：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社

Show all

Return to Previous Page