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J-GLOBAL ID:200903094365044724

樹脂封止型半導体装置の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992206366
Publication number (International publication number):1994053260
Application date: Aug. 03, 1992
Publication date: Feb. 25, 1994
Summary:
【要約】【目的】樹脂封止型半導体装置の1mm以下の超薄型パッケージの製造及び今後主流となる8インチ径ウェハを超薄型パッケージへ対応させることを可能とする方法である。【構成】半導体素子の裏面にリードフレームの厚さ以上の溝を設け、溝にAgペーストを塗布し、溝と同一形状のリードフレームのアイランド部を埋め込み、ダイボンディングし樹脂封止する。
Claim (excerpt):
半導体ウェハの電気回路が形成されている面に接着性テープを貼り付け、前記ウェハ裏面から切削装置により分割されるべき各々の半導体素子にリードフレームの厚さ100〜150μm以上の部分的な溝を施した後、各々の半導体素子に完全切断し、前記溝内部にリードフレームの半導体素子搭載台部を埋め込み導電性接着剤によりダイボンディングすることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
IPC (2):
H01L 21/52 ,  H01L 23/50
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

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