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J-GLOBAL ID：200903094393591390

マイクロ波プラズマ処理装置、マイクロ波プラズマ処理方法及び構造体の製造方法

Inventor：
鈴木 伸昌

About 鈴木 伸昌


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002136011
Publication number (International publication number)：2003332241
Application date： May. 10, 2002
Publication date： Nov. 21, 2003
Summary：
【要約】【課題】 反射電力を制限して広い条件範囲で容易に放電を生じさせることができるマイクロ波プラズマ処理装置、マイクロ波処理方法及び構造体の製造方法を提供する。【解決手段】 マイクロ波電源より所望の電力をプラズマ処理室内に供給すると、反射制限スロット110を介して無終端環状導波管118内に導入されたマイクロ波は、E分岐111で左右に2分配されて伝搬する。分配されたマイクロ波同士が干渉し、管内波長の1/2毎に定在波112の“腹”が生じる。そして、表面電流を横切るように設けられたスロット113を介し誘電体窓107を透過してプラズマ処理室にマイクロ波が導入される。無終端環状導波管118内に入射したマイクロ波の一部が電源方向に反射成分として戻るが、反射制限スロット110により、反射側電力は入射側電力の1/2倍未満に制限される。
Claim (excerpt)：
プラズマ処理室と、前記プラズマ処理室内に設けられ、被処理基体が載置される被処理基体載置手段と、前記被処理基体載置手段と対向して配置された誘電体窓と、前記誘電体窓を透過させてマイクロ波を前記プラズマ処理室内に導入するマイクロ波導入手段と、を有するマイクロ波プラズマ処理装置において、前記マイクロ波導入手段は、導波路と、マイクロ波を前記導波路内に導入するマイクロ波導入口と、前記マイクロ波導入口に入射波電力が反射波電力の2倍以上となるように設けられた反射制限スロットと、を有することを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
IPC (4)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (4)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/511 ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 101 D
F-Term (32)：
4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA07 ,  4K030FA01 ,  4K030KA30 ,  4K030KA46 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BB32 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004DB26 ,  5F004EB08 ,  5F045AA09 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC15 ,  5F045AD07 ,  5F045AE07 ,  5F045BB08 ,  5F045DP02 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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