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J-GLOBAL ID：200903033012499109

プラズマ処理装置およびその方法

Inventor：
田村 仁

About 田村 仁

, 
渡辺 成一

About 渡辺 成一

, 
古瀬 宗雄

About 古瀬 宗雄


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996078934
Publication number (International publication number)：1997270386
Application date： Apr. 01, 1996
Publication date： Oct. 14, 1997
Summary：
【要約】【課題】本課題は、直径12インチ(約300mm)以上の大きな被処理基板に均一にプラズマ処理を行うことができるようにしたプラズマ処理装置およびその方法を提供することにある。【解決手段】本発明は、マイクロ波導波管で伝送されたマイクロ波を伝送する同軸線路部702と、該同軸線路部の空洞共振器側に設けられ、同軸線路部と空洞共振器との境界付近において生じるマイクロ波電力の反射を低減する整合室703と、前記同軸線路部702に前記整合室703を介して同軸状に接続して同軸線路部から伝送されたマイクロ波を共振させる空洞共振器704と、被処理基板106を載置する基板電極を内部に設置した処理室103と、前記空洞共振器からマイクロ波電磁界をマイクロ波導入窓705を通して前記処理室内に放射して前記被処理基板に対向する領域にリング状のプラズマを発生させるマイクロ波電磁界放射手段706とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置である。
Claim (excerpt)：
マイクロ波源と、該マイクロ波源から放射したマイクロ波を伝送するマイクロ波導波管と、該マイクロ波導波管で伝送されたマイクロ波を共振させる空洞共振器と、被処理基板を載置する基板電極を内部に設置した処理室と、前記空洞共振器の中心軸付近を中心にして角度成分を有するマイクロ波電磁界を前記空洞共振器からマイクロ波導入窓を通して前記処理室内に放射して前記被処理基板に対向する領域にリング状のプラズマを発生させるマイクロ波電磁界放射手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6)：
H01L 21/203 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (6)：
H01L 21/203 S ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 C ,  H01L 21/302 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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