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J-GLOBAL ID：200903094436445270

炭化珪素単結晶インゴットおよびその製造方法ならびに炭化珪素単結晶育成用マスク

Inventor： 大谷 昇 ,  勝野 正和 ,  藍郷 崇 ,  矢代 弘克
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000105133
Publication number (International publication number)：2001294498
Application date： Apr. 06, 2000
Publication date： Oct. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】 この発明は、低欠陥大口径の単結晶炭化珪素ウエハを取り出せる炭化珪素単結晶の製造方法を提供することをその目的とする。【解決手段】 種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる際に、種結晶上にマスクを施し、そのマスク越しに炭化珪素単結晶を成長させることにより高品質な炭化珪素単結晶インゴットを得る。

Claim (excerpt)：

昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、前記種結晶上にマスクを施した後、該マスク越しに炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/00 ,  H01L 21/203

FI (3)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/00 ,  H01L 21/203 Z

F-Term (13)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EG24 ,  4G077HA12 ,  5F103AA01 ,  5F103AA10 ,  5F103DD17 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103PP08 ,  5F103RR06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 大サイズ単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-156171   Applicant：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
• 炭化珪素単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-231251   Applicant：株式会社デンソー

Cited by examiner (2)

• 大サイズ単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-156171   Applicant：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
• 炭化珪素単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-231251   Applicant：株式会社デンソー