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J-GLOBAL ID：200903094465236787

半導体光素子

Inventor： 石川 卓哉
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 稲垣 清 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995325053
Publication number (International publication number)：1997148682
Application date： Nov. 20, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】 高出力かつ高信頼性の半導体光素子を提供する。【解決手段】 半導体レーザ10は、InGaAs単一量子井戸活性層12をn-InGaP下部クラッド層14とp-InGaP上部クラッド層16とで挟んだ層構造をn+ -Ga As 半導体基板18上に備えている。活性層と上部クラッド層との間には活性層から上部クラッド層に向かって、順次、p-GaAsP(As=0.85)からなる障壁層兼第1光閉じ込め層20と、第2光閉じ込め層としてp-InGaP(Ga=0.38)からなる膜厚20nmの歪光閉じ込め層22とが形成されている。下部クラッド層と活性層との間には、n-InGaAsP障壁層兼光閉じ込め層24が形成されている。第1光閉じ込め層及び第2光閉じ込め層の格子定数が活性層から上部クラッド層に向かって段階的に減少している。これにより、上部クラッド層から活性層に至る間の価電子帯エネルギーレベルが、段階的に変化して減少する。

Claim (excerpt)：

活性層を上部クラッド層及び下部クラッド層とで挟んだ層構造を半導体基板上に備えた半導体光素子において、下部クラッドと活性層との間及び活性層と上部クラッドとの間の少なくとも一方の間で、基板よりも格子定数の小さい混晶構造の半導体からなる第1の光閉じ込め層及び基板よりも格子定数の大きい混晶構造の半導体からなる第2の光閉じ込め層が、活性層からクラッド層に向う方向に順次形成されていることを特徴とする半導体光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-361312   Applicant：アンリツ株式会社