Pat

J-GLOBAL ID：200903094514792976

陽極酸化物及び陽極酸化方法

Inventor： 小沼 利光 ,  菅原 彰 ,  上原 由起子
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994074024
Publication number (International publication number)：1995258893
Application date： Mar. 17, 1994
Publication date： Oct. 09, 1995
Summary：

【要約】【目的】 陽極酸化物中の不純物を除去し、膜質の改善を図る。また、薄膜トランジスタのoff電流を低下する。陽極酸化工程の高速化を図る。【構成】 金属薄膜と陰極電極との間の電圧が、特定の電圧値に到達するまでの間に、前記金属薄膜と前記陰極電極との間に流れる電流値を増加させる工程と、前記電圧が前記特定の電圧値に到達した後に、前記電圧値を維持する工程とを有する。

Claim (excerpt)：

金属を陽極酸化して形成された陽極酸化物であって、該陽極酸化物は、表面側の層と、内部側の層とを有し、前記表面側の層は、前記内部側の層より炭素原子の含有量が少なく、且つ前記内部側の層は、前記表面側の層より前記金属と前記金属の陽極酸化物との混合物の含有量が少ないことを特徴とする陽極酸化物。

IPC (5)：

C25D 11/04 101 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/786

FI (4)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 K ,  H01L 29/78 311 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 陽極酸化方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-136255   Applicant：シグマメルテック株式会社
• 特開昭53-076136