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J-GLOBAL ID：200903094663817019

薄膜形成方法

Inventor： 吉村 昌弘 ,  藤原 武 ,  宋 丞婉 ,  渡辺 友亮 ,  寺西 亮 ,  キョー-ション ハン
Applicant, Patent owner： 東京工業大学長
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000076578
Publication number (International publication number)：2001262396
Application date： Mar. 17, 2000
Publication date： Sep. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】 高エネルギープロセスを必要としない新規な薄膜合成法を提供する。【解決手段】 蒸留水にLiOH・H2Oを溶解させて調整溶液を作製し、この調整溶液にCo金属粉末を加えて反応溶液を作製する。この反応溶液をオートクレーブ中に入れて所定の温度に保持する。次いで、前記反応溶液中に一対の白金電極を設置し、所定の電圧を印加する。これにより、前記白金電極のアノード電極に、前記調整溶液の構成元素であるLiと前記金属粉末の構成元素であるCoを含んでなるLiCoO2薄膜が合成され、形成される。

Claim (excerpt)：

調整溶液中に金属粉末又は金属化合物粉末を加えて反応溶液を作製するとともに、この反応溶液中にアノード電極及びカソード電極を配置し、前記アノード電極と前記カソード電極との間に所定の電圧を印加することにより、前記アノード電極上に、前記調整溶液の構成元素と前記金属粉末又は前記金属化合物粉末の構成元素とを含んでなる薄膜を合成することを特徴とする、薄膜形成方法。

IPC (3)：

C25D 15/02 ,  C25D 9/06 ,  H01M 4/04

FI (3)：

C25D 15/02 E ,  C25D 9/06 ,  H01M 4/04 A

F-Term (11)：

5H050AA19 ,  5H050BA17 ,  5H050CA07 ,  5H050CA08 ,  5H050FA11 ,  5H050FA18 ,  5H050GA02 ,  5H050GA11 ,  5H050GA29 ,  5H050GA30 ,  5H050HA14