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J-GLOBAL ID：200903094712441780

アルカリ現像型フォトレジスト組成物

Inventor： 千葉 秀貴 ,  斉藤 則彦 ,  佐野 公康 ,  内藤 真紀子
Applicant, Patent owner： 日本合成ゴム株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994240504
Publication number (International publication number)：1996078318
Application date： Sep. 08, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 回路基板の製造および半導体や電子部品の回路基板への実装の際に行うバンプ形成、配線形成、層間絶縁、回路保護および精密部品加工・製造などのフォトファブリケーションに好適なアルカリ現像型フォトレジスト組成物を提供する。【構成】(A)(a)不飽和カルボン酸からなる繰り返し単位5〜40重量%と、(b)水酸基を有するラジカル重合性化合物からなる繰り返し単位10〜40重量%と、(c)(メタ)アクリル酸環状アルキルエステルからなる繰り返し単位0〜60重量%と、(d)他のラジカル重合性化合物からなる繰り返し単位20〜60重量%とからなる共重合体、(B)少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する重合性化合物および(C)光重合開始剤を含有することを特徴とするアルカリ現像型フォトレジスト組成物。

Claim (excerpt)：

(A)(a)不飽和カルボン酸からなる繰り返し単位5〜40重量%、(b)水酸基を有するラジカル重合性化合物からなる繰り返し単位10〜40重量%、(c)(メタ)アクリル酸環状アルキルエステルからなる繰り返し単位0〜60重量%、(d)他のラジカル重合性化合物からなる繰り返し単位20〜60重量%からなる共重合体、(B)少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する重合性化合物および(C)光重合開始剤、を含有することを特徴とするアルカリ現像型フォトレジスト組成物。

IPC (10)：

H01L 21/027 ,  C08L 33/02 LHV ,  C08L 33/04 LHV ,  C09D 4/00 PDR ,  G03F 7/027 502 ,  G03F 7/028 ,  G03F 7/033 ,  H05K 3/06 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平2-113252
  
• アルカリ蝕刻性レジスト乾燥フィルムホトレジスト
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-231167   Applicant：ハーキュリーズ・インコーポレーテッド
• 特開昭60-208748
  
• レジストパターン及びエッチングパターンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-182800   Applicant：関西ペイント株式会社
• 特開平2-113252
  
• 特開昭60-208748