MOS電界効果トランジスタ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001269297
Publication number (International publication number)：2002158353
Application date： Sep. 05, 2001
Publication date： May. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】高周波でのスイッチング損失が低減でき、オン抵抗が低いMOS電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】MOS電界効果トランジスタは、第1主面とこの第1主面に対向する第2主面を有するp+ 型半導体基板11と、この基板11の第1主面上に形成されたp- 型エピタキシャル層12と、このp- 型層12に、互いに離間して形成されたn+ 型拡散領域17A、17Bと、n+ 型領域17Aとn+ 型領域17B間のp- 型層12上に、ゲート絶縁膜13を介在して形成されたゲート電極14と、n+ 型領域17Aから基板11まで達するように形成されたコンタクトプラグ18と、基板11の第2主面上に形成されたソース電極25と、p- 型層12上に絶縁膜19、22を介在して形成され、n+ 型領域17Bに電気的に接続されたドレイン電極24とを有している。

Claim (excerpt)：

第1主面とこの第1主面に対向する第2主面を有する第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の前記第1主面上に形成された第1導電型の第1半導体領域と、前記第1半導体領域に、互いに離間して形成された第2導電型の第2、第3半導体領域と、前記第2半導体領域と前記第3半導体領域との間の前記第1半導体領域上に、ゲート絶縁膜を介在して形成されたゲート電極と、前記第2半導体領域から前記半導体基板まで達するように形成され、前記第2半導体領域と前記半導体基板とを電気的に接続する導電体と、前記半導体基板の前記第2主面上に形成され、前記半導体基板に電気的に接続された第1主電極と、前記第1半導体領域上に絶縁膜を介在して形成され、前記第3半導体領域に電気的に接続された第2主電極と、を具備することを特徴とするMOS電界効果トランジスタ。

IPC (5)：

H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/786

FI (6)：

H01L 29/78 652 B , H01L 29/78 652 G , H01L 29/78 301 D , H01L 29/78 616 V , H01L 29/78 616 T , H01L 27/08 321 E

F-Term (53)：

5F048AA05 , 5F048AA08 , 5F048AB08 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA02 , 5F048BA12 , 5F048BB05 , 5F048BC03 , 5F048BC05 , 5F048BC06 , 5F048BC12 , 5F048BD04 , 5F048BF02 , 5F048BF07 , 5F048BF17 , 5F048BF18 , 5F048DA23 , 5F110AA13 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD22 , 5F110EE09 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG24 , 5F110HJ06 , 5F110HL04 , 5F110HM02 , 5F110HM12 , 5F110QQ17 , 5F140AA25 , 5F140AA30 , 5F140AA31 , 5F140AC21 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA16 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF53 , 5F140BH03 , 5F140BH15 , 5F140BH30 , 5F140BH34 , 5F140BH45 , 5F140BJ01 , 5F140BJ07 , 5F140BJ26 , 5F140BJ27 , 5F140CA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開昭63-055960
特開平4-018762
ソース領域を裏面に接続するプラグを含む、ラテラルRFMOSデバイスのための擬似メッシュゲート構造
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-530946 Applicant：ゼモッド・インコーポレイテッド

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