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J-GLOBAL ID：200903094728180579

半導体電極用Al-Ni-Y 合金薄膜および半導体電極用Al-Ni-Y 合金薄膜形成用スパッタリングターゲット

Inventor： 高木 勝寿 ,  大西 隆
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 明田 莞
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998093780
Publication number (International publication number)：1999003873
Application date： Apr. 07, 1998
Publication date： Jan. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】 5 μΩcm以下の比抵抗とヒロック耐性の両特性とともに、高い絶縁耐圧性を有する半導体電極用Al合金薄膜を提供し、更に該半導体電極用Al合金薄膜を形成するためのAl合金スパッタリングターゲットも提供する。【解決手段】 半導体電極用Al合金薄膜を、Niを0.3 at% 以上、Y を0.3at%以上含有し、かつ0.22 CNi+0.74 CY を1.6 at% 以下 [但し、 CNi;Ni 含有量(at%)、 CY ;Y含有量(at%)]とした組成のAl合金とする。また、このAl合金薄膜形成用ターゲットを、NiとY とを含む組成のAl合金とする。

Claim (excerpt)：

合金成分として、Niを0.3 at% 以上、Y を0.3at%以上含有し、かつ0.22 CNi+0.74 CY を1.6 at% 以下 [但し、 CNi;Ni 含有量(at%) 、 CY;Y含有量(at%)]としたAl合金薄膜よりなり、合金薄膜の比抵抗が5 μΩcm以下であることを特徴とするヒロック耐性と陽極酸化膜の絶縁耐圧性が優れる半導体電極用低比抵抗Al-Ni-Y 合金薄膜。

IPC (5)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C23C 14/14 ,  G02F 1/1343 ,  C23C 14/34

FI (5)：

H01L 21/285 301 L ,  H01L 21/285 S ,  C23C 14/14 B ,  G02F 1/1343 ,  C23C 14/34 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Al系スパッタリング用タ-ゲット材およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-114391   Applicant：日立金属株式会社