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J-GLOBAL ID：200903094729794651

炭化珪素半導体装置の製造装置及び当該製造装置を用いた炭化珪素半導体装置の製造方法

Inventor：
中村 広希

About 中村 広希

, 
小島 淳

About 小島 淳


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (3)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003113174
Publication number (International publication number)：2004319845
Application date： Apr. 17, 2003
Publication date： Nov. 11, 2004
Summary：
【課題】ホットウォールを備える熱処理装置を用いた炭化珪素半導体基板の熱処理の際、半導体基板の面内温度分布のばらつきを抑制することを目的とする。【解決手段】ホットウォール3及びRFコイル4を同時に移動させることができる熱処理装置を用いて、RFコイル4によりホットウォール3に囲まれた高温領域7を発生させる。ホットウォール3及びRFコイル4を一方向にのみ移動させることで、高温領域7にSiCウェハ5を入れSiCウェハ5の熱処理を行い、高温領域7からSiCウェハ5を出すことで熱処理を終了する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
炭化珪素半導体基板(5)を保持する保持手段(6)と、 予め1500〜2300°Cに加熱された高温領域(7)を生成する高温領域生成手段(3、4)とを備え、 前記保持手段(6)と前記高温領域生成手段(3、4)の少なくとも一方を相対的に一方向にのみ移動させることで、前記高温領域生成手段(3、4)により生成された前記高温領域(7)内に前記保持手段(6)に保持された前記半導体基板(5)を入れ、かつ、前記半導体基板(5)を入れる向きと同一の向きにて前記高温領域(7)から前記半導体基板(5)を出すようにした構成であることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造装置。
IPC (2)：
H01L21/265 ,  H01L21/324
FI (3)：
H01L21/265 602A ,  H01L21/324 S ,  H01L21/265 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 熱処理装置、熱処理方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-263822   Applicant：株式会社デンソー
  • 特開昭63-217631
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-301081   Applicant：株式会社エフティーエル

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