熱処理装置、熱処理方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：足立勉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001263822
Publication number (International publication number)：2003077855
Application date： Aug. 31, 2001
Publication date： Mar. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】大面積処理が可能で制御が容易な量産性に優れた熱処理装置等を提供する。【解決手段】RFコイル10への通電により、ホットウォール12を加熱して1500°C〜2300°Cの範囲の所望の温度(熱処理の目的に応じた温度、例えば2000°C)のホットウォール12に挟まれた高温領域5を生成した後に、SiCウェハ3を取り付けた治具14を下降させて高温領域5内にSiCウェハ3が留まるように停止させることで、SiCウェハ3の不純物活性化熱処理を行う。目的とする温度に達した後、10秒程度経過したら治具14を引き上げて高温領域5から出して冷却する。ホットウォール12からの輻射熱によりSiCウェハ3は急速に熱処理温度に達するため、短時間で熱処理が完了し、マイグレーションによる表面荒れ等の発生を抑えることができ、大面積処理が容易に可能となり量産性にも優れる。

Claim (excerpt)：

半導体基板を搬送する搬送手段と、予め1500°C〜2300°Cに加熱された領域またはステージを生成する高温領域生成手段とを備え、前記高温領域生成手段によって生成された前記領域内または前記ステージ上に、前記搬送手段によって前記半導体基板を搬送することにより前記半導体基板の熱処理を行うことを特徴とする熱処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/265 602 , H01L 21/265 , H01L 21/324 , H01L 21/68

FI (4)：

H01L 21/265 602 A , H01L 21/324 J , H01L 21/68 A , H01L 21/265 Z

F-Term (12)：

5F031CA02 , 5F031FA01 , 5F031FA09 , 5F031GA30 , 5F031HA02 , 5F031HA62 , 5F031HA64 , 5F031HA66 , 5F031MA30 , 5F031PA04 , 5F031PA09 , 5F031PA18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-337628
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-163768 Applicant：株式会社エフティーエル
ウェハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-231469 Applicant：株式会社ブリヂストン

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