Pat
J-GLOBAL ID:200903094859666337
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 濱田 百合子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003321020
Publication number (International publication number):2005091428
Application date: Sep. 12, 2003
Publication date: Apr. 07, 2005
Summary:
【課題】200nm以下、特にF2エキシマレーザー光(157nm)の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には157nmの光源使用時に十分な透過性を示し、限界解像力、感度、ラインエッジラフネス、溶解コントラストに優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)下記一般式(I)で表される構造の繰り返し単位を少なくとも1種類を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基を有する樹脂及び(B)活性光線又は放射線の作用により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
(A)下記一般式(I)で表される繰り返し単位を少なくとも1種類有する、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び
(B)活性光線又は放射線の作用により酸を発生する化合物
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (3):
G03F7/039
, C08F220/10
, H01L21/027
FI (3):
G03F7/039 601
, C08F220/10
, H01L21/30 502R
F-Term (45):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB14
, 2H025CB15
, 2H025CB41
, 2H025CB45
, 2H025FA17
, 4J100AB07P
, 4J100AD07Q
, 4J100AE09R
, 4J100AL26P
, 4J100AL26R
, 4J100AL31P
, 4J100AL31Q
, 4J100AP01P
, 4J100AR11P
, 4J100AR11Q
, 4J100AR11R
, 4J100BA02P
, 4J100BA02R
, 4J100BA03P
, 4J100BA03R
, 4J100BA05P
, 4J100BA15Q
, 4J100BB07P
, 4J100BB18P
, 4J100BB18Q
, 4J100BB18R
, 4J100BC08P
, 4J100BC08Q
, 4J100BC08R
, 4J100BC12Q
, 4J100CA05
, 4J100DA01
, 4J100DA05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
-
WO-00/17712号パンフレット
-
独国特許出願公開第10054996A1号明細書
-
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-375504
Applicant:信越化学工業株式会社
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