高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小島隆司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000375504
Publication number (International publication number)：2001233917
Application date： Dec. 11, 2000
Publication date： Aug. 28, 2001
Summary：

【要約】【解決手段】下記一般式(1)で示される、主鎖がフッ素化されたアクリル誘導体を繰り返し単位として含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中R1,R2,R3は水素原子、フッ素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R1,R2,R3の少なくとも1つにフッ素原子を含む。R4は酸不安定基である。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特には170nm以下の波長における感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明のレジスト材料は、これらの特性より、特にF2エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される、主鎖がフッ素化されたアクリル誘導体を繰り返し単位として含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1,R2,R3は水素原子、フッ素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R1,R2,R3の少なくとも1つにフッ素原子を含む。R4は酸不安定基である。)

IPC (5)：

C08F 20/22 , C08K 5/00 , C08L 33/16 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (5)：

C08F 20/22 , C08K 5/00 , C08L 33/16 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

化学増幅型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-332641 Applicant：住友化学工業株式会社
ポジ型感放射線性組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-323894 Applicant：東レ株式会社
新規ポリマー及びこれを用いたレジスト組成物並びにこれを用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-257672 Applicant：和光純薬工業株式会社, 松下電器産業株式会社

Show all

Return to Previous Page