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J-GLOBAL ID:200903094861770281

スパッタリングターゲットとその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 須山 佐一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003334898
Publication number (International publication number):2005097697
Application date: Sep. 26, 2003
Publication date: Apr. 14, 2005
Summary:
【課題】Mo-W合金系のスパッタリングターゲットにおいて、比較的低温での焼結により高密度化が可能であると共に、それを用いて成膜した合金膜のより一層の低抵抗化を実現した。【解決手段】0.1〜50質量%の範囲のAlを含有し、残部が実質的にMo-W合金からなる組成を有するMo-W-Al材により構成されたスパッタリングターゲット2である。Mo-W合金は、例えば0.1〜70質量%の範囲のWを含有し、残部が実質的にMoからなる組成を有する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
0.1〜50質量%の範囲のAlを含有し、残部が実質的にMo-W合金からなるMo-W-Al材を具備することを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (4):
C23C14/34 ,  B22F3/105 ,  C22C1/04 ,  C22C27/04
FI (4):
C23C14/34 A ,  B22F3/105 ,  C22C1/04 D ,  C22C27/04
F-Term (17):
4K018AA20 ,  4K018AA22 ,  4K018BA08 ,  4K018BA09 ,  4K018BB04 ,  4K018BC12 ,  4K018CA11 ,  4K018DA11 ,  4K018DA21 ,  4K018DA25 ,  4K018DA32 ,  4K018EA01 ,  4K018EA11 ,  4K018KA29 ,  4K018KA58 ,  4K029DC04 ,  4K029DC09
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)

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