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J-GLOBAL ID：200903094897255162

強誘電体キャパシタ構造及びその製造方法

Inventor： 渡部 浩司 ,  田中 均洋
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996158101
Publication number (International publication number)：1998012830
Application date： Jun. 19, 1996
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：

【要約】【課題】水素ガス雰囲気中でのアニールで劣化が生じない強誘電体キャパシタ構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】下部電極層4、強誘電体層6、上部電極層8の順に積層された構造を有する強誘電体キャパシタ構造において、上部電極層8を、電極層81と酸化物導電性材料からなる導電性保護層82との積層構造とする。

Claim (excerpt)：

下部電極層、強誘電体層、上部電極層の順に積層された構造を有する強誘電体キャパシタ構造において、該上部電極層が、電極層と酸化物導電性材料からなる導電性保護層との積層構造であることを特徴とする強誘電体キャパシタ構造。

IPC (8)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 強誘電体容量素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-235330   Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-274197   Applicant：オリンパス光学工業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-087841   Applicant：株式会社日立製作所