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J-GLOBAL ID：200903094969850915

高純度薄膜形成用同軸型真空アーク蒸着源

Inventor：
阿川 義昭

About 阿川 義昭

, 
山本 佳宏

About 山本 佳宏


Applicant, Patent owner：
日本真空技術株式会社

About 日本真空技術株式会社


Agent (1)： 石島 茂男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998164476
Publication number (International publication number)：1999350114
Application date： Jun. 12, 1998
Publication date： Dec. 21, 1999
Summary：
【要約】【課題】高純度の半導体材料の薄膜を形成する。【解決手段】本発明の蒸着装置10は、蒸着材料43を配置する取付台45が真空槽1外に導出され、その部分が加熱装置20によって加熱されるように構成されている。取付台45は金属で構成されており、熱伝導率が高いので、蒸着材料43が昇温する。蒸着材料43が高純度の半導体材料の場合、昇温すると抵抗値が小さくなるので、アーク放電を発生させ、蒸着材料43の微小粒子49を真空槽1内に放出することが可能になる。
Claim (excerpt)：
アノード電極と蒸着材料とトリガ電極とを有し、前記アノード電極と蒸着材料との間に電圧を印加した状態で、トリガ電極と前記蒸着材料との間にトリガ放電を発生させ、前記アノード電極と前記蒸着材料との間にアーク放電を誘起させると、前記蒸着材料から該蒸着材料を構成する物質が放出されるように構成された同軸型真空アーク蒸着源であって、前記トリガ電極は、前記蒸着材料に含まれる物質で構成されたことを特徴とする同軸型真空アーク蒸着源。
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (5)
  • 薄膜形成装置および薄膜形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-347430   Applicant：工業技術院長
  • 特開昭62-163242
  • 特開昭62-163242
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