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J-GLOBAL ID：200903094972775274

フラッシュメモリ管理方法

Inventor：
田沼 英順

About 田沼 英順

, 
坂本 広幸

About 坂本 広幸


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996005058
Publication number (International publication number)：1997198884
Application date： Jan. 16, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：
【要約】【目的】代替領域の飽和をいち早く検知できるようにし、フラッシュメモリの信頼性の向上を図る。【構成】フラッシュメモリカード11から読み取ったカード管理情報をブロック代替処理を行う度に書き換え、その結果に基づいて代替可能なスペアブロックが残っているか否かが調べられる。もし代替可能なスペアブロックが無くなったことが検出されたならば、その時点で、フラッシュメモリカード11の延命のための手続きが開始される。よって、代替不能によるフラッシュメモリカード11自体の不良が発生する前に、代替領域の飽和をいち早く検知できるようになり、フラッシュメモリの信頼性を十分に向上させることが可能となる。
Claim (excerpt)：
不良ブロックを代替するためのスペアブロックが用意されたフラッシュEEPROMを有するフラッシュメモリ装置の管理方法において、前記フラッシュEEPROMの不良ブロックとその代替のために使用されたスペアブロックとの関係を示すカード管理情報を前記フラッシュメモリ装置から読み取り、不良ブロックをスペアブロックによって代替する度に前記カード管理情報を書き換え、その書き換え結果に基づいて代替可能なスペアブロックが残っているか否かを検出し、代替可能なスペアブロックが無くなったことを検出したとき、代替不能による前記フラッシュメモリ装置の不良化を招く前に前記フラッシュメモリ装置の延命のための手続きを行うことを特徴とするフラッシュメモリ管理方法。
IPC (2)：
G11C 16/06 ,  G11C 29/00 301
FI (2)：
G11C 17/00 309 F ,  G11C 29/00 301 B
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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