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J-GLOBAL ID:200903095047779142

超小型電力変換装置およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 篠部 正治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002224578
Publication number (International publication number):2004072815
Application date: Aug. 01, 2002
Publication date: Mar. 04, 2004
Summary:
【課題】実装面積が小さく、電力変換効率を向上させ、電力損失の低減を図ることができる平面型磁気誘導素子を有する超小型電力変換装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】フェライト基板1の表面に第1導体4を形成し、裏面に第2導体5を形成し、第1導体4と第2導体5をフェライト基板1を貫通する接続導体3で接続し、第1導体4と第2導体5の表面をレジストまたは絶縁保護膜8で被覆し、トロイダル状の無端ソレノイドの薄膜インダクタを形成し、この薄膜インダクタと半導体チップ11と積層セラミックコンデンサアレイ15で超小型電力変換装置が構成される。無端ソレノイドとすることで、渦巻き状の薄膜コンダクタよりもインダクタンス値が大きくできて、薄膜インダクタの小型化を図ることができる。また直流抵抗を小さくできるため、電力変換装置の変換効率の向上と電力損失の低減を図ることができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
半導体集積回路の形成された半導体基板と、薄膜磁気誘導素子と、コンデンサとを有する超小型電力変換装置において、 磁性絶縁基板と、該磁性絶縁基板の第1主面に形成された第1導体と前記磁性絶縁基板の第2主面に形成された第2導体と前記磁性絶縁基板を貫通する貫通孔に形成された接続導体とをそれぞれ接続してなるコイル導体と、からなる薄膜磁気誘導素子を有することを特徴とする超小型電力変換装置。
IPC (5):
H02M3/155 ,  H01F27/255 ,  H01F30/00 ,  H01F37/00 ,  H01L25/00
FI (6):
H02M3/155 Y ,  H01F37/00 D ,  H01L25/00 B ,  H01F27/24 D ,  H01F31/00 A ,  H01F31/00 D
F-Term (11):
5H730AA15 ,  5H730BB13 ,  5H730BB57 ,  5H730DD04 ,  5H730EE08 ,  5H730EE13 ,  5H730FG01 ,  5H730ZZ05 ,  5H730ZZ11 ,  5H730ZZ12 ,  5H730ZZ17
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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