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J-GLOBAL ID:200903095091677683
導電膜パターンの形成方法及び液晶表示装置の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998213683
Publication number (International publication number):2000047237
Application date: Jul. 29, 1998
Publication date: Feb. 18, 2000
Summary:
【要約】【課題】 安価で特殊な廃液処理を必要としないITO膜のエッチング方法、ひいては液晶表示装置の製造方法を提供することを主たる目的とする。【解決手段】 絶縁性基板1上にITOからなる第1の金属膜2を形成し、さらに第1の金属膜2上に選択的に絶縁性薄膜であるレジストマスク3を形成する。その後、絶縁性基板1上に、Ti等の第2の金属膜を形成する。そして、この状態で酸系のエッチング液を用いて第2の金属膜4の全面およびレジストマスク3で覆われた領域以外の第1の金属膜2を電池反応により除去する。最後にレジストマスク3を除去することにより、所望のパターンを有するITO膜を得る。
Claim (excerpt):
選択的に絶縁性薄膜が形成された第1の金属膜上に第2の金属膜を形成した後、前記第2の金属膜をウェットエッチングする工程において、前記第1の金属膜と第2の金属膜との間に電池反応を生じさせて前記第1の金属膜をエッチング除去することにより前記絶縁性薄膜と同形状の第1の金属膜を形成することを特徴とする導電膜パターンの形成方法。
IPC (3):
G02F 1/1343
, G09F 9/30 337
, H01L 21/306
FI (3):
G02F 1/1343
, G09F 9/30 337
, H01L 21/306 F
F-Term (31):
2H092HA04
, 2H092JA26
, 2H092JA29
, 2H092JA42
, 2H092JA44
, 2H092JB13
, 2H092JB23
, 2H092JB32
, 2H092MA05
, 2H092MA14
, 2H092MA15
, 2H092MA16
, 2H092MA18
, 2H092MA19
, 2H092MA20
, 2H092MA35
, 2H092MA37
, 2H092NA25
, 2H092NA27
, 2H092NA29
, 2H092PA08
, 5C094AA43
, 5C094AA44
, 5C094BA43
, 5C094EA04
, 5C094GB01
, 5F043AA26
, 5F043BB18
, 5F043DD10
, 5F043DD30
, 5F043GG04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
-
特開昭61-198728
-
配線の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-041033
Applicant:カシオ計算機株式会社
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