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J-GLOBAL ID：200903095102351572

置換めっき方法

Inventor：
安田 守宏

About 安田 守宏

, 
小野 恭史

About 小野 恭史


Applicant, Patent owner：
ペルメレック電極株式会社

About ペルメレック電極株式会社


Agent (1)： 森 浩之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998221060
Publication number (International publication number)：2000038681
Application date： Jul. 21, 1998
Publication date： Feb. 08, 2000
Summary：
【要約】【目的】 従来の置換めっき法では得られない緻密でピンホールのないめっき層を金属基材表面に形成できる置換めっき法を提供する。【構成】 金属基材を浸漬しためっき浴に超音波照射を行いながら、前記金属基材に置換めっきを行う。超音波照射によりめっき浴全体に強力な攪拌効果が付与され、ピンホール中にめっき金属進入させてほぼ完全に閉塞して金属基材表面に万遍なく均一なめっき層を形成させる。めっき層表面に弱く密着している析出金属の結晶が前記超音波により表面から剥離し、新たにめっき層に析出して緻密な結晶の成長を促進させる。
Claim (excerpt)：
基材金属より電気化学的に貴なめっき金属を含むめっき液に金属基材を浸漬して該金属基材に前記めっき金属をめっきする置換めっき方法において、超音波を前記めっき液に照射しながら置換めっきを行うことを特徴とする置換めっき方法。
IPC (2)：
C23C 18/31 ,  C23C 18/54
FI (2)：
C23C 18/31 Z ,  C23C 18/54
F-Term (11)：
4K022AA02 ,  4K022AA37 ,  4K022AA41 ,  4K022AA43 ,  4K022BA01 ,  4K022BA03 ,  4K022BA18 ,  4K022DA03 ,  4K022DB03 ,  4K022DB04 ,  4K022DB11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 特公昭50-021149
  • めっき法による配線金属膜形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-264586   Applicant：松下電器産業株式会社
  • 分散めっき方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-342903   Applicant：金井宏之
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