Pat

J-GLOBAL ID：200903095103373618

SOI基板

Inventor： 小黒 志津夫 ,  鈴木 達也
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993184561
Publication number (International publication number)：1995045800
Application date： Jul. 27, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】高いゲッタリング能力を備えたSOI基板を得る。【構成】P+ 型単結晶シリコン基板1上の多結晶シリコン膜2中に島状のシリコン酸化膜3を形成し、その多結晶シリコン膜上の全面に第2の単結晶シリコン基板4を設ける。シリコン酸化膜3上の単結晶シリコン基板4の領域を半導体デバイス形成領域とし、素子分離領域に溝を設け、この溝をシリコン酸化膜5で埋める。

Claim (excerpt)：

第1の単結晶シリコン基板上に形成された多結晶シリコン膜と、この多結晶シリコン膜中に形成された島状のシリコン酸化膜と、前記多結晶シリコン膜上の全面に形成された第2の単結晶シリコン基板とを含むことを特徴とするSOI基板。

IPC (3)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/322

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-303599   Applicant：日本電装株式会社
• 特開昭61-114572
  
• 特開昭57-143841