Pat
J-GLOBAL ID：200903095128169934

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor：
冨岡 和広

About 冨岡 和広


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995250409
Publication number (International publication number)：1997092491
Application date： Sep. 28, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：
【要約】【課題】本発明は、プラズマ処理容器内の異常放電の発生を検出し、異常放電の発生頻度を抑制し、異常放電による突発的なダスト発生、被処理基体表面の損傷、基体の汚染、基体の電気素子の絶縁破壊等の発生を低減することが可能なプラズマ処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明のプラズマ処理装置は高周波電力を発生する手段と、プラズマ処理容器にガスを導入する手段と、プラズマ処理容器に高周波電力を導入する電極と、電極から反射する高周波電力を検出する手段と、高周波電力を発生する手段のインピーダンスと、プラズマのインピーダンスとが整合された状態における電極から反射する高周波電力の振幅の変動にのみ応じて電極に印加する高周波電力を制御する手段とを備える。
Claim (excerpt)：
高周波電力を発生する手段と、プラズマ処理容器と、プラズマ処理容器にガスを導入する手段と、プラズマ処理容器に高周波電力を導入する電極と、この電極から反射する高周波電力を検出する手段と、前記電極に印加する高周波電力のインピーダンスとプラズマのインピーダンスとが整合された状態における電極から反射する高周波電力の振幅の変動にのみ応じて電極に印加する高周波電力を制御する手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5)：
H05H 1/46 ,  C23C 16/56 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (6)：
H05H 1/46 B ,  C23C 16/56 ,  C23F 4/00 A ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM