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J-GLOBAL ID：200903095142763245

電磁気的物性値の測定方法

Inventor： 中山 明 ,  中尾 吉宏 ,  吉川 博道
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004361085
Publication number (International publication number)：2005308716
Application date： Dec. 14, 2004
Publication date： Nov. 04, 2005
Summary：

【課題】メタライズやセラミックスの電磁気的物性値を精度よく測定できる電磁気的物性値の測定方法を提供する。【解決手段】第1誘電体基板2の一方の面に第1リング導体1、他方の面に、第1リング導体1と同じ電磁気的物性値を有する第1グラウンド導体3が形成された第1リング共振器Aの共振周波数f1と無負荷Q値Q1を測定する第1の工程と、第1誘電体基板2と同じ電磁気的物性値を有する第2誘電体基板2の一方の面に、第1リング導体1と同じ電磁気的物性値を有し、異なる幅を有する第2リング導体1が形成され、第2誘電体基板2の他方の面に第1リング導体1と同じ電磁気的物性値を有する第2グラウンド導体1が形成された第2リング共振器Bの共振周波数f2と無負荷Q値Q2を測定する第2の工程と、測定された共振周波数f1、f2及び無負荷Q値Q1、Q2に基づき、リング導体1及び/又は誘電体基板2の電磁気的物性値を算出する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1誘電体基板の一方の面に第1共振導体が形成され、前記第1誘電体基板の他方の面に、前記第1共振導体と同じ電磁気的物性値を有する第1グラウンド導体が形成された第1共振器の共振周波数f1と無負荷Q値Q1を測定する第1の工程と、 前記第1誘電体基板と同じ電磁気的物性値を有する第2誘電体基板の一方の面に、前記第1共振導体と同じ電磁気的物性値を有し、かつ前記第1共振導体の幅と異なる幅を有する第2共振導体が形成され、前記第2誘電体基板の他方の面に前記第1共振導体と同じ電磁気的物性値を有する第2グラウンド導体が形成された第2共振器の共振周波数f2と無負荷Q値Q2を測定する第2の工程と、 測定された共振周波数f1、f2及び無負荷Q値Q1、Q2に基づき、前記共振導体及び/又は前記誘電体基板の電磁気的物性値を算出することを特徴とする電磁気的物性値の測定方法。

IPC (2)：

G01N22/00 ,  G01R27/26

FI (4)：

G01N22/00 Y ,  G01N22/00 F ,  G01N22/00 K ,  G01R27/26 Q

F-Term (13)：

2G028BB05 ,  2G028BC01 ,  2G028BD03 ,  2G028BE01 ,  2G028BF08 ,  2G028CG02 ,  2G028CG09 ,  2G028CG10 ,  2G028CG13 ,  2G028CG14 ,  2G028DH15 ,  2G028DH21 ,  2G028EJ01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 金属層界面の導電率測定方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-216795   Applicant：京セラ株式会社