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J-GLOBAL ID：200903095297954837

シリコン酸窒化膜の形成方法、シリコン酸窒化膜の形成装置及びプログラム

Inventor： 松浦 廣行
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 木村 満
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005197283
Publication number (International publication number)：2007019145
Application date： Jul. 06, 2005
Publication date： Jan. 25, 2007
Summary：

【課題】 低温下で、ステップカバレッジのよいシリコン酸窒化膜を形成することができるシリコン酸窒化膜の形成方法、シリコン酸窒化膜の形成装置及びプログラムを提供する。【解決手段】 まず、反応管2内にDCSを供給し、半導体ウエハWにDCSを吸着させる。次に、反応管2内に酸素ラジカルを供給して、吸着したDCSを酸化させ、半導体ウエハWにシリコン酸化膜を形成する。続いて、反応管2内にアンモニアラジカルを供給して、形成されたシリコン酸化膜を窒化させ、半導体ウエハWにシリコン酸窒化膜を形成する。この処理を複数回繰り返すことにより所望のシリコン酸窒化膜を形成することができる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

被処理体が収容された反応室内にジクロロシランを供給し、前記被処理体に前記ジクロロシランを吸着させる吸着ステップと、 前記反応室内に酸化ガスのラジカルを供給し、前記吸着ステップで吸着されたジクロロシランを酸化させ、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成ステップと、 前記反応室内に窒化ガスのラジカルを供給し、前記シリコン酸化膜形成ステップで形成されたシリコン酸化膜を窒化させ、前記被処理体にシリコン酸窒化膜を形成するシリコン酸窒化膜形成ステップと、を備え、 前記吸着ステップと、前記シリコン酸化膜形成ステップと、前記シリコン酸窒化膜形成ステップとを、この順に複数回繰り返す、ことを特徴とするシリコン酸窒化膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/31

FI (3)：

H01L21/318 C ,  C23C16/42 ,  H01L21/31 B

F-Term (32)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030EA11 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045BB01 ,  5F045DP19 ,  5F045EH18 ,  5F058BA09 ,  5F058BC11 ,  5F058BF07 ,  5F058BF22 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 基板処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-073145   Applicant：株式会社日立国際電気

Cited by examiner (1)

• 成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-172438   Applicant：東京エレクトロン株式会社