Pat
J-GLOBAL ID：200903095303748179

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
中川 秀夫

About 中川 秀夫

, 
玉岡 英二

About 玉岡 英二


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000350992
Publication number (International publication number)：2002158280
Application date： Nov. 17, 2000
Publication date： May. 31, 2002
Summary：
【要約】【課題】 エアギャップを有する金属配線構造を備えた半導体装置の配線間容量を確実に低減できるようにする。【解決手段】 半導体基板100上に設けられた下層の層間絶縁膜101の上に複数の金属配線113が形成されている。複数の金属配線113を覆うように上層の層間絶縁膜114が設けられ、該上層の層間絶縁膜114は、複数の金属配線113同士の間にエアギャップ115を有している。エアギャップ115の頂部115bは、複数の金属配線113よりも上方に位置している。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に設けられた下層の層間絶縁膜の上に形成された複数の金属配線と、前記複数の金属配線を覆うように設けられ、前記複数の金属配線同士の間にエアギャップを有する上層の層間絶縁膜とを備え、前記エアギャップの頂部は、前記複数の金属配線よりも上方に位置していることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316
FI (5)：
H01L 21/312 N ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 N ,  H01L 21/90 K ,  H01L 21/90 S
F-Term (54)：
5F033HH07 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ07 ,  5F033KK07 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN01 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033XX25 ,  5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BD18 ,  5F058BD19 ,  5F058BF02 ,  5F058BF46 ,  5F058BH12 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM