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J-GLOBAL ID：200903095452262181

強誘電体メモリ装置

Inventor： 大村 正由
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社 ,  シメトリックス・コーポレーション
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993066357
Publication number (International publication number)：1995014380
Application date： Mar. 25, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】格納する情報を非破壊読み出しができ、高寿命化され、且つ集積化に好適する強誘電体メモリ装置を提供すること。【構成】メモリセル部に使用するための分極PA の強誘電体キャパシタCA から情報を読出す際に、切換スイッチ31又は32を介して、分極PB の強誘電体キャパシタCB を上記強誘電体キャパシタCA に対して並列もしくは直列に接続することにより、互いに異なるヒステリシス特性の強誘電体キャパシタCA ,CBの合成のヒステリシスは非破壊読み出しに有効なツイスティドヒステリシスになる。

Claim (excerpt)：

情報が強誘電体膜に書き込まれる第1の強誘電体キャパシタを含むメモリセルと、前記第1の強誘電体キャパシタとは異なるヒステリシス特性を持つ第2の強誘電体キャパシタと、前記第1の強誘電体キャパシタからの情報の読み出し時に、前記第2の強誘電体キャパシタを前記第1の強誘電体キャパシタに対して並列もしくは直列に接続する読み出し手段と、を具備することを特徴とする強誘電体メモリ装置。

IPC (2)：

G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平3-108770
  
• 強誘電体メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-230314   Applicant：オリンパス光学工業株式会社