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J-GLOBAL ID:200903095466858141

光制御デバイス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997103308
Publication number (International publication number):1998054964
Application date: Nov. 18, 1994
Publication date: Feb. 24, 1998
Summary:
【要約】【課題】 温度ドリフトを抑圧するための導体膜の抵抗に与えられていた制限を無くすとともに、温度ドリフト及びCDドリフトも抑圧し、さらに低い駆動電圧が得られる光制御デバイスを提供する。【解決手段】 LiNbO3 基板(1)の表面に形成された2本のチャネル型光導波路(2a)(2b)からなる光回路(5)と、光導波路(2a)(2b)の上にバッファ層(3)を介して電極(4a)(4b)が形成されている。また、電極(4a)(4b)の近傍に導体膜(6)が形成されている。導体膜(6)は電極(4a)(4b)間を導通させておらず、電極(4a)(4b)の近傍で絶縁されている部分(7)がある。
Claim (excerpt):
焦電効果を有する基板表面に形成された光導波路と、前記光導波路の近傍に形成された少なくとも1対の電極と、少なくとも前記基板と前記電極の間に形成された膜体と、前記1対の電極の近傍を覆い前記膜体より導電性の大きい導体膜とを有し、前記導体膜は前記1対の電極のそれぞれの電極近傍で絶縁されていることを特徴とする光制御デバイス。
IPC (2):
G02F 1/035 ,  G02F 1/313
FI (2):
G02F 1/035 ,  G02F 1/313
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
  • 光制御デバイス
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-309707   Applicant:日本電気株式会社
  • 特開平3-253815
  • 特開平4-172316
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