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J-GLOBAL ID：200903095500932585

スピンバルブトランジスタ

Inventor： 佐藤 利江 ,  水島 公一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 松山 允之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002090682
Publication number (International publication number)：2003289163
Application date： Mar. 28, 2002
Publication date： Oct. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】 電流透過率を向上させ、高密度磁気記録用素子として用いることが可能なスピンバルブトランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】 磁化方向(M)が第1の方向に実質的に固着された磁性体膜を有する磁化固定層(MP)と、磁化方向(M)が外部磁界に対応して変化する磁性体膜を有する磁化自由層(MF)と、前記磁化固定層と前記磁化自由層との間に設けられた非磁性層(NM)と、を有するベース部(B)と、磁化方向(M)が前記第1の方向とほぼ同一の方向に実質的に固着された磁性体膜(FM)を有するエミッタ部(E)と、前記ベース部と前記エミッタ部との間に設けられた絶縁性の障壁層(TB)と、を備えたことを特徴とするスピンバルブトランジスタを提供する。

Claim (excerpt)：

磁化方向が第1の方向に実質的に固着された磁性体膜を有する磁化固定層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁性体膜を有する磁化自由層と、前記磁化固定層と前記磁化自由層との間に設けられた非磁性層と、を有するベース部と、磁化方向が前記第1の方向とほぼ同一の方向に実質的に固着された磁性体膜を有するエミッタ部と、前記ベース部と前記エミッタ部との間に設けられた絶縁性の障壁層と、前記ベース部の前記エミッタ部とは反対側に設けられ、半導体からなるコレクタ部と、を備えたことを特徴とするスピンバルブトランジスタ。

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82

FI (4)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01L 29/82 T ,  H01L 27/10 447

F-Term (5)：

5D034BA03 ,  5F083FZ10 ,  5F083HA03 ,  5F083HA08 ,  5F083PR25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 磁性体デバイス及びそれを用いた磁気センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-189366   Applicant：株式会社東芝