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J-GLOBAL ID：200903095516993940

ビア形成領域決定方法

Inventor：
茂木 大樹

About 茂木 大樹


Applicant, Patent owner：
川崎製鉄株式会社

About 川崎製鉄株式会社


Agent (1)： 小杉 佳男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000097532
Publication number (International publication number)：2001284536
Application date： Mar. 31, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：
【要約】【課題】 レイアウト設計のTATを短縮するビア形成領域決定方法を提供する。【解決手段】 多層構造を有する半導体集積回路を構成する、第1の層の所定の第1の配線m1および第2の層の所定の第2の配線m2_1を互いにつなぐ、第1のビア又はビアアレイが形成される第1のビア形成領域と、第1の層の第1の配線、および第2の層の、第2の配線とは異なる所定の第3の配線m2_2を互いにつなぐ第2のビア又はビアアレイが形成される第2のビア形成領域とを定め、第1のビア形成領域と第2のビア形成領域とが、所定の大きさ以下の間隔で離れるかあるいは互いに重なる場合に、第1のビア形成領域および第2のビア形成領域を包含する新たな第3のビア形成領域を生成し、第1のビア形成領域および第2のビア形成領域に代えて、生成した第3のビア形成領域を、ビア又はビアアレイが内部に形成される新たな領域として決定する。
Claim (excerpt)：
多層構造を有する半導体集積回路を構成する、ある第1の層の配線と、該第1の層とは異なる第2の層の配線とをつなぐ、1つのビア又は規則的に並ぶ複数のビアからなるビアアレイが内部に形成される、層の広がり方向の領域を決定するビア形成領域決定方法において、前記第1の層の所定の第1の配線および前記第2の層の所定の第2の配線を互いにつなぐ第1のビア又はビアアレイが形成される第1のビア形成領域と、該第1の層の該第1の配線、および該第2の層の、該第2の配線とは異なる所定の第3の配線を互いにつなぐ第2のビア又はビアアレイが形成される第2のビア形成領域とを定め、該第1のビア形成領域と該第2のビア形成領域とが、所定の間隔以下の間隔で離れるかあるいは互いに重なる場合に、該第1のビア形成領域および該第2のビア形成領域を包含する新たな第3のビア形成領域を生成し、該第1のビア形成領域および該第2のビア形成領域に代えて、生成した第3のビア形成領域を、ビア又はビアアレイが内部に形成される新たな領域として決定することを特徴とするビア形成領域決定方法。
IPC (4)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/768
FI (3)：
H01L 27/04 D ,  H01L 21/82 W ,  H01L 21/90 A
F-Term (14)：
5F033NN34 ,  5F033UU04 ,  5F033VV04 ,  5F033VV05 ,  5F033XX00 ,  5F038CA17 ,  5F038CD01 ,  5F038CD02 ,  5F064EE22 ,  5F064EE26 ,  5F064EE27 ,  5F064EE52 ,  5F064HH06 ,  5F064HH10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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