Pat
J-GLOBAL ID：200903095575092400
パッケージ統合された薄膜LED
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：
熊倉 禎男
, 大塚 文昭
, 西島 孝喜
, 須田 洋之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005342796
Publication number (International publication number)：2006128710
Application date： Oct. 28, 2005
Publication date： May. 18, 2006
Summary：
【課題】支持基板をLEDウェーハに取り付けるプロセスは高コストであり、生産性が低下する欠点を回避する。【解決手段】LEDエピタキシャル層(n-型、p-型、及び活性層)が基板上に成長する。各ダイについて、LED層がパッケージ基板と成長基板との間に挟まれるように、n層及びp層はLEDの境界を越えて延びるパッケージ基板と電気的に結合される。パッケージ基板は、電気的コンタクト及びハンダ付け可能なパッケージ接続を導く導電体を備える。成長基板が除去される。繊細なLED層は成長基板に取り付けられると共にパッケージ基板に結合されるので、LED層用の中間支持基板は不要である。次に、除去された成長基板に近接していた比較的厚いLEDエピタキシャル層は薄化されてその最上面が処理されて、光取り出し構造部が組み込まれる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
LED部分から除去された成長基板上に形成された第1導電型の第1エピタキシャル層と、前記成長基板上に形成された第2導電型の第2エピタキシャル層と、前記第1及び第2エピタキシャル層の間に配置された活性層と、前記第1エピタキシャル層の第1の側にあり、前記活性層に実質的に平行な一次発光面とを含む発光ダイオード(LED)部分と、
前記LED部分がマウントされたパッケージ基板と、
前記パッケージ基板と前記第2エピタキシャル層との間に配置され、中間に支持基板を挟むことなく前記パッケージ基板上の導電体を前記第2エピタキシャル層に電気的に接続する金属境界面と、
を備え、
前記一次発光面と前記パッケージ基板の一部分との間の最短距離が50ミクロンより大きくなく、前記パッケージ基板の横方向の範囲が前記LED部分の横方向の範囲を越えることを特徴とする発光デバイス。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (12)：
5F041CA33
, 5F041CA35
, 5F041CA37
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA77
, 5F041DA01
, 5F041DA04
, 5F041DA09
, 5F041DA19
, 5F041DA83
