PDPにおける誘電体用保護膜の形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：久保幸雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995058388
Publication number (International publication number)：1996255562
Application date： Mar. 17, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】酸化の効率を高めるとともにイオン照射によらずに膜形成面の不純物を除去し、良質の保護膜を得ることを目的とする。【構成】放電のための複数の電極とそれらを被覆する誘電体層17とを設けた基板11を真空槽50内に配置し、真空中で誘電体層17の上に酸化物からなる保護膜を形成する際に、真空槽50内にオゾンを導入するとともに、誘電体層17に向けて紫外線UVを照射する

Claim (excerpt)：

放電のための複数の電極とそれらを被覆する誘電体層とを設けた基板を真空槽内に配置し、真空中で前記誘電体層上に酸化物からなる保護膜を形成する際に、前記真空槽内にオゾンを導入するとともに、前記誘電体層に向けて紫外線を照射することを特徴とするPDPにおける誘電体用保護膜の形成方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

ガス放電表示素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-253273 Applicant：日本電気株式会社
特開昭61-075515
磁性薄膜の作製方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-241779 Applicant：三菱重工業株式会社

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