Pat
J-GLOBAL ID：200903095634113572

プラズマ処理装置

Inventor：
竹谷 元伸

About 竹谷 元伸


Applicant, Patent owner：
株式会社フロンテック

About 株式会社フロンテック


Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997045836
Publication number (International publication number)：1998241899
Application date： Feb. 28, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、プラズマ密度が高く、均一で大面積なプラズマが形成でき、かつ、被処理体に対するプラズマダメージの少ないプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 本発明のプラズマ処理装置は、真空容器1内に対向する一対の電極母体のそれぞれから交互に対向する電極母体2A、2Bに向けて延びる平板状電極体2a、2bを所定間隔をあけて複数並設し、前記複数の平板状電極体2a、2bの並設方向に形成される電界に対して交差する方向に磁界を加える手段3を備え、隣り合う前記平板状電極体2a、2bのそれぞれに異なる位相を有する交流電力を印加するよう交流電源6、7が前記一対の電極母体2A、2Bのそれぞれに接続されたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
真空容器内に対向する一対の電極母体のそれぞれから交互に対向する電極母体に向けて延びる平板状電極体を所定間隔をあけて複数並設し、前記複数の平板状電極体の並設方向に形成される電界に対して交差する方向に磁界を加える手段を備え、隣り合う前記平板状電極体のそれぞれに異なる位相を有する交流電力を印加するよう交流電源が前記一対の電極母体のそれぞれに接続されたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5)：
H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/205
FI (5)：
H05H 1/46 M ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 G ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 特開平4-096218
  • 特開平4-276080
  • プラズマ発生装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-143307   Applicant：菅原實, 国際電気株式会社

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM