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J-GLOBAL ID：200903095658628689

光結合デバイスおよび光結合方法

Inventor： 三冨 修 ,  東盛 裕一 ,  近藤 康洋 ,  界 義久 ,  須崎 泰正
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995038548
Publication number (International publication number)：1996234062
Application date： Feb. 27, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 異なるスポットサイズの光導波路デバイスを光結合するために、スポットサイズを低損失で変換する光結合デバイスおよび光結合方法を提供すること。【構成】 相対的にスポットサイズの大きな光導波路デバイスと、相対的にスポットサイズの小さな光導波路デバイスとを結合する光結合デバイスは半導体基板102上に光の伝搬方向に形状がテーパ状に変化しているコア101を形成し、このコアを取り囲むように第1のクラッド層103を形成する。第1のクラッド層の屈折率はコアよりも小さく、かつ半導体基板よりも大きい。少なくともスポットサイズの大きい光導波路デバイスとの光結合端面側近傍において、第1のクラッド層の厚さ(t2 )を、光結合端面のスポットサイズが前記スポットサイズの大きい光導波路デバイスのスポットサイズの大きさに合うように設定する。

Claim (excerpt)：

相対的にスポットサイズの大きな光導波路デバイスと、相対的にスポットサイズの小さな光導波路デバイスとを結合する光結合デバイスにおいて、半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、光の伝搬方向に形状がテーパ状に変化しているコアと、前記半導体基板上に形成され、前記コアを取り囲むように構成された第1のクラッド層とを備え、前記第1のクラッド層の屈折率が、前記コアよりも小さく、かつ前記半導体基板よりも大きく、少なくとも前記スポットサイズの大きい光導波路デバイスとの光結合端面側近傍において、前記第1のクラッド層の厚さを、前記光結合端面のスポットサイズが前記スポットサイズの大きい光導波路デバイスのスポットサイズの大きさに合うように設定したことを特徴とする光結合デバイス。

IPC (4)：

G02B 6/42 ,  G02B 6/30 ,  H01L 31/12 ,  H01S 3/18

FI (4)：

G02B 6/42 ,  G02B 6/30 ,  H01L 31/12 A ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 光結合デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-127578   Applicant：日本電信電話株式会社